Rambus:美国高端存储产品平台
2016-05-05 09:35:00   来源:Rambus公司官网
内容摘要
RAMBUS Inc创立于1990年,公司创建之初便致力于高端存储产品的研究与开发。在2012年的IDF展会上,Rambus公司带来一种可称为XDR3的技术,该公司的新技术使用价格便宜的DDR3芯片,但性能堪比6000MHz的GDDR5记忆体。

Rambus:美国存储产品开发平台(资料图) 科技世界网


RAMBUS Inc创立于1990年,公司创建之初便致力于高端存储产品的研究与开发,由于其在内存技术上的先进性,很快成为了Intel下一代高性能处理器的主存平台。

那么什么是RAMBUS内存呢?简单的说RAMBUS内存就是一种高性能、芯片对芯片接口技术的新一代存储产品,它使得新一代的处理器可以发挥出最佳的功能。RAMBUS Inc宣称这种新的技术能够提供十倍于普通DRAM和三倍于PC100 SDRAM的性能,单根的RAMBUS DRAM,即RDRAM,在16位的数据传输通道上速度可高达800MHz。

RAMBUS内存的发展历经了三个主要阶段,第一代和第二代产品称为"base RAMBUS"和"Concurrent RAMBUS",这一阶段的内存速度已达到600MHz的数据传输速率,被用于一些娱乐设施(如SONY PS2),高端图形工作站以及一些高性能的显卡等。第三代产品称为Direct RAMBUS,其存储模块被简称为RIMM(RamBus In-line Memory Module)。目前主要被用于一些高性能个人电脑、图形工作站、服务器和其它一些对带宽和时间延迟要求更高的设备。在2000年晚些时候采用了RAMBUS内存的笔记本电脑有望问世。

从1998年6月到1999年1月是DR DRAM的黄金时期。到处是赞扬声、乐观的预期和诸如此类的。Intel公司开始进行内存颗粒和模组的测试。戴尔和康柏公司宣布它们将在1999年初销售使用DR DRAM的个人电脑。这证明最终用户已经有了对于这种技术的需要了。东芝公司预测到2001年DR DRAM将拥有内存市场50%的份额。

在东京召开的2011年超大规模集成电路讨论会上,Rambus就宣布了一种突破性的快速加电、低功耗时钟技术,有望为内存设备带来全新的面貌。配合40nm低功耗CMOS工艺,这种新技术能够让内存在0.5纳秒的时间内完成从零功耗待机状态到每个差分链接5+Gbps高速数据传输工作状态的转换,同时运行功耗仅仅2.4mW/Gb/s,也就是说全速工作的时候每秒也不过12mW。

在2012年的IDF展会上,Rambus公司带来一种可称为XDR3的技术,但还没有任何官方的命名。据报道,该公司的新技术使用价格便宜的DDR3芯片,但性能堪比6000MHz的GDDR5记忆体,同时功耗却接近低功耗的DDR3 SO-DIMM模块。在IDF展示的部分显示,新技术可以提供高达192GB/s单信道带宽,而一个四通道的实施将带来近0.8TB/s的。这比DDR4技术带来的带宽高出许多倍,而新“XDR”的功耗也比较低。(如需转载,请注明来源自科技世界网)